恩智浦将GaN用于5G多芯片模块，以实现高能效移动网络

恩智浦将GaN用于5G多芯片模块，以实现高能效移动网络

“恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI）宣布，将氮化镓（GaN）技术集成至其多芯片模块平台中，这是5G能效领域的一个重要行业里程碑。恩智浦位于亚利桑那州的GaN晶圆厂是美国最先进的专业生产射频功率放大器的晶圆厂，基于公司对该晶圆厂的大量投资，恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案。

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Ÿ   用于5G基础设施的恩智浦多芯片模块中的GaN性能可将效率提高8个百分点

Ÿ   缩小基站射频单元尺寸，减轻重量；加快5G系统的设计和部署

Ÿ   恩智浦整合了多项技术，以实现最优性能

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI）宣布，将氮化镓（GaN）技术集成至其多芯片模块平台中，这是5G能效领域的一个重要行业里程碑。恩智浦位于亚利桑那州的GaN晶圆厂是美国最先进的专业生产射频功率放大器的晶圆厂，基于公司对该晶圆厂的大量投资，恩智浦率先推出5G大规模MIMO射频解决方案。该解决方案结合了GaN的高效率与多芯片模块的紧凑性。

减少能耗是电信基础设施的一个主要目标，其中每一点效率都至关重要。在多芯片模组中使用GaN可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高到 52%，比公司上一代模块高出8个百分点。恩智浦通过在单个器件中采用专利组合LDMOS和GaN技术，进一步提高了性能，可提供400 MHz的瞬时带宽，仅用一个功率放大器即可完成宽带射频设计。

恩智浦小尺寸5G多芯片模组现在可实现上述能效和宽带性能。新的产品组合将助力射频开发人员减少基站射频单元的尺寸和重量，帮助移动网络运营商降低在蜂窝塔和屋顶部署5G的成本。在单个封装中，模组集成了多级发射链、50欧姆输入/输出匹配网络和Doherty设计，并且恩智浦现在使用其最新的SiGe技术添加了偏置控制。这一新的集成步骤使得无需再使用单独的模拟控制IC，即可对功率放大器性能提供更严密的监控和优化。

恩智浦执行副总裁兼无线电功率业务部总经理Paul Hart 表示：“恩智浦开发了专用于5G基础设施的独特技术工具箱，包括专有的LDMOS、GaN和SiGe以及先进封装和射频设计IP。这让我们能够利用每个元件的优势并针对每个用例以最优方式将这些优势结合在一起。”

与上一代模块一样，新的器件均引脚兼容。射频工程师可以在多个频段和功率级扩展单个功率放大器设计，缩短设计周期时间，从而在全球加速推出5G。

供货时间

恩智浦新型5G多芯片模块将在第三季度供应样品，并在今年晚些时候开始量产。恩智浦将推出基于这些产品的RapidRF系列射频模拟前端（参考）设计，有助于加快5G系统的设计。

恩智浦的5G接入边缘技术产品组合

从天线到处理器，恩智浦提供了强大的技术产品组合以加快5G部署，为基础设施、工业和汽车应用提供一流的性能和安全性。其中包括恩智浦的Airfast射频功率解决方案系列，以及Layerscape系列多核处理器，适用于无线数据链路、固定无线接入和小型基站设备。