MDT10F73
概述
1. 概述
本 IC 是 8 位元 FLASH 單晶片,採用完全靜態
CMOS 技術設計,集高速、體積小、省電和高抗
干擾性一體的晶片,記憶體包括 4K*14 程式
ROM 和 192*8 靜態 RAM,及 256*8 的 EEPROM。
2. 特點
以下是關於軟硬體方面的一些特性:
◆8 位元設計單晶片,完全 CMOS 靜態設計
◆程式 ROM 大小:4K,14 位指令長度
◆內部 RAM 大小:192 BYTE
◆內部 EEPROM 大小:256*8 BIT
◆37 種精簡指令
◆8 層堆疊
◆工作電壓:2.5 V ~ 5.5 V (PED 選 LOW 位準)
4.5 V ~ 5.5 V (PED 選 HIGH 位準)
◆工作頻率:DC ~ 20 MHz
◆最短指令時間:200ns。(20MHz 單週期指令)
◆尋址方式包括直接、間接和相對尋址方式
◆上電復位(POR)
◆電源邊緣檢測(PED)三位準,低,中,高
◆睡眠低功耗功能
◆4 種可選振盪器類型:
-RC-低價 RC 振盪器
-LFXT-低頻晶體振盪器
-XTAL-標準晶體振盪器
-HFXT-高頻晶體振盪器
◆TMR0:8 位時鐘/計數器
◆TMR1:16 位時鐘/計數器
◆TMR2:8 位時鐘
◆兩組【捕捉/比較/PWM】模組
◆一組【增強 SPI】模組。
◆A/D 轉換模組:
-5 輸入,共享一個 A/D 轉換器
-8 位轉換結果
◆11 個中斷源:
-外部 INT 腳位、TMR0、TMR1、TMR2 時鐘
-A/D 轉換、Port B<7:4>電平變化中斷
-CCP1,2、SCM、USAR、USAT
◆自振式看門狗定時器(WDT)
◆22 個可獨立直接控制 I/O 腳位
3. IC 特色
◆FLASH 型式的 ROM,可多次修改應用。
◆EEPROM 擁有 256*8BIT,對於資料的存取,有
更多有效的運用。
◆3種型態的TIMER , 可配合客戶多種時序應用 。
◆增強 SPI,串列應用時,可配合多種時序。
◆二組 CCP,可應付 PWM*2 時的應用,特別是需
要蜂鳴器的應用時。
◆5 輸入的 A/D 轉換,讓類比的信號,更容易讓
IC 處理,尤其是交流電的偵測。
4. 應用
應用範圍主要為【系統級控制】、【PC 相連控
制】 、 【多模組相連控制】 、 【多 PIN 之應用】 ,
尤其是 UPS 或是 AVR 等等設備。